車(chē)載充電機(jī)（On-Board Charger，簡(jiǎn)稱為OBC）的基本功能是：電網(wǎng)電壓經(jīng)由地面交流充電樁、交流充電口，連接至車(chē)載充電機(jī)，給車(chē)載動(dòng)力電池進(jìn)行慢速充電。
基本半導(dǎo)體第二代SiC碳化硅MOSFET功率器件具有高頻高效的特點(diǎn)，在OBC上使用碳化硅功率器件對(duì)于提升OBC的效率和功率密度有較大幫助。
OBC車(chē)載充電機(jī)一般為兩級(jí)電路，前級(jí)為PFC（Power Factor Correction）級(jí)，即功率因數(shù)校正環(huán)節(jié)，實(shí)現(xiàn)電網(wǎng)交流電壓變?yōu)橹绷麟妷海冶ＷC輸入交流電流與輸入交流電壓同相位，根據(jù)實(shí)際設(shè)計(jì)功率需求的不同，可采用多級(jí)Boost電路并聯(lián)進(jìn)行擴(kuò)容；后級(jí)為DC/DC級(jí)，實(shí)現(xiàn)PFC級(jí)輸出直流電壓變?yōu)樗璩潆婋妷海瑢?shí)現(xiàn)恒流/恒壓充電功能，并保證交流高壓側(cè)與直流高壓側(cè)的電氣絕緣，同樣地，根據(jù)實(shí)際設(shè)計(jì)功率需求的不同，可采用多級(jí)DC/DC電路并聯(lián)進(jìn)行擴(kuò)容。另外，比較常見(jiàn)的DC/DC級(jí)電路拓?fù)溆幸葡嗳珮蚝蚅LC兩種。雙向OBC在先天上就可以實(shí)現(xiàn)比單向設(shè)計(jì)更高的效率。單向DC/DC模塊采用 PFC 二極管，而單向 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器可通過(guò)二極管橋完成輸出整流。單相雙向 OBC 的典型框架 — 全橋整流器被低損耗基本半導(dǎo)體第二代SiC碳化硅MOSFET B2M040120R所取代，從而消除整流二極管正向壓降造成的損耗。這反過(guò)來(lái)可以降低功耗，從而簡(jiǎn)化熱管理要求。基本半導(dǎo)體第二代SiC碳化硅MOSFET B2M040120R器件的綜合性能可減少所需元件的數(shù)量，從而降低電路元件成本以滿足支持各種功率器件功能的要求。
LLC，移相全橋等應(yīng)用實(shí)現(xiàn)ZVS主要和Coss、關(guān)斷速度和體二極管壓降等參數(shù)有關(guān)。Coss決定所需諧振電感儲(chǔ)能的大小，值越大越難實(shí)現(xiàn)ZVS；更快的關(guān)斷速度可以減少對(duì)儲(chǔ)能電感能量的消耗，影響體二極管的續(xù)流維持時(shí)間或者開(kāi)關(guān)兩端電壓能達(dá)到的最低值；因?yàn)槔m(xù)流期間的主要損耗為體二極管的導(dǎo)通損耗.在這些參數(shù)方面，B2M第二代碳化硅MOSFET跟競(jìng)品比，B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小，需要的死區(qū)時(shí)間初始電流小；B2M第二代碳化硅MOSFET抗側(cè)向電流觸發(fā)寄生BJT的能力會(huì)強(qiáng)一些。B2M第二代碳化硅MOSFET體二極管的Vf和trr 比競(jìng)品有較多優(yōu)勢(shì)，能減少LLC里面Q2的硬關(guān)斷的風(fēng)險(xiǎn)。綜合來(lái)看，比起競(jìng)品，LLC，移相全橋應(yīng)用中B2M第二代碳化硅MOSFET表現(xiàn)會(huì)更好.
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可提高功率回路開(kāi)關(guān)頻率，提升系統(tǒng)效率及功率密度，降低系統(tǒng)綜合成本。
基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行開(kāi)發(fā)，比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上，基本半導(dǎo)體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件，以更好地滿足客戶需求。
基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET亮點(diǎn)
更低比導(dǎo)通電阻：第二代碳化硅MOSFET通過(guò)綜合優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)方案，比導(dǎo)通電阻降低約40%，產(chǎn)品性能顯著提升。
更低器件開(kāi)關(guān)損耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開(kāi)關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。
更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通過(guò)更高標(biāo)準(zhǔn)的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。
更高工作結(jié)溫：第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達(dá)到175°C，提高器件高溫工作能力。