新能源汽車采用電動壓縮機驅動空調制冷。由于純電動汽車沒有發動機，壓縮機需要靠電力驅動，電動壓縮機比傳統壓縮機多出了驅動電機、控制器等結構。空調制熱方面，燃油汽車空調可借助發動機的動力和余熱。而新能源汽車沒有多余的熱量，制熱通常是使用 PTC 加熱器或熱泵空調。PTC 加熱器是新能源汽車的傳統加熱方法，由于耗電量大，有被熱泵空調逐漸取代的趨勢。
熱泵空調電動壓縮機控制器主要使用的功率器件是硅IGBT,但硅IGBT在高壓情況下的損耗遠大于基本半導體第二代SiC碳化硅MOSFET B2M065120R,采用貼片封裝，提升電動壓縮機控制器PCBA的生產效率和良率，適合尤其是壓縮機工作在輕載工況下,控制器中基本半導體第二代SiC碳化硅MOSFET的損耗可降低至硅IGBT方案的一半以下?而車用空調壓縮機通常工作在輕載工況下,可以極大發揮基本半導體第二代SiC碳化硅MOSFET的優勢,從而減少空調熱泵系統的損耗,有利于電動汽車的熱管理,降低整車電能的消耗,提高新能源汽車的續航能力?
電動汽車熱管理800V高壓充電平臺的基本半導體第二代SiC碳化硅MOSFET B2M065120R和硅IGBT,對比兩者間的器件開關損耗?基本半導體第二代SiC碳化硅MOSFET B2M065120R使用在壓縮機控制器上提高了壓縮機的效率,有利于電動汽車的熱管理?傳統的1200V硅IGBT方案由于開關損耗較大,散熱問題嚴重,因此一般限制在15kHz以內?采用基本半導體第二代SiC碳化硅MOSFET B2M065120R方案后,可以通過提升逆變器開關頻率,以減小輸出電流的總諧波畸變率,從而減小壓縮機的諧波損耗,提升壓縮機的效率,進一步提高空調熱泵系統的效率,更有利于電動汽車空調熱管理?
碳化硅MOSFET具有優秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領域最受關注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可提高功率回路開關頻率，提升系統效率及功率密度，降低系統綜合成本。
基本半導體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發，比上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面表現更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產品基礎上，基本半導體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件，以更好地滿足客戶需求。
基本半導體第二代碳化硅MOSFET亮點
更低比導通電阻：第二代碳化硅MOSFET通過綜合優化芯片設計方案，比導通電阻降低約40%，產品性能顯著提升。
更低器件開關損耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開關損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串擾行為下誤導通的風險。
更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通過更高標準的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產品可靠性表現出色。
更高工作結溫：第二代碳化硅MOSFET工作結溫達到175°C，提高器件高溫工作能力。